應(yīng)廣單片機(jī)PFS122B單片機(jī)特性

特性
通用系列
不建議使用于 AC 阻容降壓供電或有高 EFT 要求的應(yīng)用。應(yīng)廣不對(duì)使用于此類應(yīng)用而不達(dá)安規(guī)要求負(fù)責(zé)
工作溫度范圍：-40°C ~ 85°C

系統(tǒng)特性
2KW MTP 程序空間（可編程 1000 次以上）
128 Bytes 數(shù)據(jù)空間
一個(gè)硬件 16 位定時(shí)器
兩個(gè) 8 位帶 PWM 功能的定時(shí)器
一個(gè)硬件比較器
Bandgap 電路提供 1.20V 參考電壓
高達(dá) 12 通道 12 位精度電阻式 ADC (R-ADC)
最大 14 IO 引腳帶可選擇的上拉/下拉電阻
每個(gè) IO 引腳都可設(shè)定為喚醒功能
時(shí)鐘源：IHRC、ILRC 和 EOSC (XTAL)
每個(gè)能喚醒的 IO 均支持兩種可選的喚醒速度：正常和快速
8 級(jí)可選擇的 LVR 復(fù)位電壓從 1.8V 到 4.5V
兩個(gè)可選擇的外部中斷引腳
內(nèi)設(shè) VDD/2 LCD bias 電壓生成器以提供最大 5x9 點(diǎn)陣 LCD 顯示

CPU 特性
8 位高性能精簡指令集 CPU
86 個(gè)高效指令
絕大部分指令都是單周期(1T)指令
可程序設(shè)定的堆棧指針和堆棧深度
數(shù)據(jù)存取支持直接和間接尋址模式，用數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器即可當(dāng)作間接尋址模式的數(shù)據(jù)指針(index pointer)
IO 地址以及存儲(chǔ)地址空間互相獨(dú)立

 

 

電器件電氣特性

下列所有數(shù)據(jù)除特別列明外，皆于 VDD=5.0V，fSYS=2MHz 之條件下獲得

 

符號(hào)	特性	最小值	典型值	最大值	單位	條件(Ta=25℃)
VDD	工作電壓	1.8#	5.0	5.5	V	#受限于LVR公差
LVR%	低電壓復(fù)位公差	-5		5	%
fsys	系統(tǒng)時(shí)鐘(CLK)*= IHRC/2 IHRC/4 IHRC/8 LRC	0 0 0	94K	8M 4M 2M	Hz	Vdo≥3.0V Vdo≥2.2V VDD≥1.8V VDD=5.0V
Pcycle	燒錄次數(shù)	1000			cycles
lop	工作電流		0.6 90		mA uA	fsys=IHRC/16=1MIPS@5.0V fsys=ILRC
IPD	掉電模式消耗電流 (使用stopsys命令)		1.3 0.8		uA uA	fsys=0Hz,Vpo=5.0V fsys=0Hz,Vpp=3.3V
IPS	省電模式消耗電流 (使用stopexe命令)		4		uA	VDD =5.0V;fsys=ILRC 僅使用ILRC的模式下
VL	O輸入低電壓	0		0.2 Vpo	V
VH	IO輸入高電壓	0.7 VpD		VDD	V
loL	IO灌電流
	PB4 .PB7(強(qiáng)) PB4,PB7(正常) 其他IO		30 20 20		mA	VDD=5.0V,Vol=0.5V
loH	IO驅(qū)動(dòng)電流
	PB4,PB7(強(qiáng)) PB4,PB7(正常) 其他IO		20 11 11		mA	VDd=5.0V,Voh=4.5V
VIN	nput voltage	-0.3		VDD+0.3	V
li (PIN	腳位的引入電流			1	mA	Vpp+0.3≥VN≥-0.3
RPH	上拉電阻		84 70		KQ	PB4/PB7 @Vpo =5.0V 其他IO
RPL	下拉電阻		84 70		KQ	PB4/PB7 @Vpo =5.0V 其他IO
VBG	Bandgap參考電壓	1.145*	1.20*	1.255*	V	VpD =1.8V~5.5V -40℃

工作電流與 VDD、系統(tǒng)時(shí)鐘 CLK = ILRC/n 關(guān)系曲線圖

條件：開啟：ILRC，Bandgap，LVR；關(guān)閉：IHRC，EOSC，T16，TM2，TM3，ADC modules；
IO：PA0 以 0.5Hz 頻率高低電壓交換輸出，無負(fù)載；其他：設(shè)為輸入且不浮空

程序存儲(chǔ)器 - MTP

MTP（多次可編程）程序存儲(chǔ)器用來存放要執(zhí)行的程序指令。MTP 程序存儲(chǔ)器可以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，包含：數(shù)
據(jù)，表格和中斷入口。復(fù)位之后，F(xiàn)PP0 的程序從初始地址 0x000（通常是 GOTO FPPA0 指令）開始，中斷
入口是 0X010；MTP 程序存儲(chǔ)器最后 32 個(gè)地址空間是被保留給系統(tǒng)使用，如：校驗(yàn)，序列號(hào)等。PFS122B
的 MTP 程序存儲(chǔ)器容量為 2KW，如表 1 所示。MTP 存儲(chǔ)器從地址 0x7E0 到 0x7FF 供系統(tǒng)使用，地址從 0x001
到 0x00 和從 0x011 到 0x7DF 是用戶的程序空間。

開機(jī)流程
開機(jī)時(shí)，POR（上電復(fù)位）是用于復(fù)位 PFS122B。開機(jī)時(shí)間可選快開機(jī)或者普通模式。不管哪種開機(jī)模
式，用戶必須確保上電后電源電壓穩(wěn)定，開機(jī)時(shí)間 tSBP，如圖所示。

外部晶體振蕩器

如果要使用晶體振蕩器，就需要再在 X1 和 X2 之間放置晶體或諧振器。圖 2 顯示了使用晶體振蕩器的硬件
連接；晶體振蕩器的工作頻率范圍可以從 32KHz 至 4MHz，取決于放置的晶體，PFS122B 不支持比 4MHz 更
高的頻率振蕩器。
晶體振蕩器的的硬件連接

除了晶振的選擇外，外部電容器和 PFS122B 寄存器 eoscr (0x0a)相關(guān)選項(xiàng)也應(yīng)該適度調(diào)整以求得有良好的
正弦波。eoscr.7 是用開啟晶體振蕩器硬件模塊，eoscr.6 和 eoscr.5 用于設(shè)置振蕩器不同的驅(qū)動(dòng)電流，以滿足
晶體振蕩器不同頻率的的要求：
? eoscr.[6:5]=01：驅(qū)動(dòng)電流低，適用于較低的頻率，例如：32KHz 晶體振蕩器
? eoscr.[6:5]=10：中度驅(qū)動(dòng)電流，適用于中間的頻率，例如：1MHz 的晶體振蕩器
? eoscr.[6:5]=11：驅(qū)動(dòng)電流高，適用于較高的頻率，例如：4MHz 晶體振蕩器

 

比較器

PFS122B 內(nèi)置一個(gè)硬件比較器，圖 4 所示比較器硬件原理框圖，它可以比較兩個(gè)引腳之間的信號(hào)或者與
內(nèi)部參考電壓 Vinternal R 或者與內(nèi)置 bandgap(1.2v)做比較。兩個(gè)信號(hào)進(jìn)行比較，一個(gè)是正輸入，另一個(gè)是負(fù)輸入。
比較器的負(fù)輸入可以是 PA3，PA4，內(nèi)置 bandgap(1.2v)，PB6，PB7，或者內(nèi)部參考電壓 Vinternal R，并由寄存
器 gpcc 的[3:1]位來選擇，比較器的正輸入可以是 PA4 或者 Vinternal R，并由 gpcc 寄存器的位 0 來選擇。
比較器輸出的結(jié)果可以用 gpcs.7 選擇性的送到 PA0，此時(shí)無論 PA0 是輸入還是輸出狀態(tài)，比較器結(jié)果都
會(huì)被強(qiáng)制輸出；輸出結(jié)果信號(hào)可以是直接輸出，或是通過 Time2 從定時(shí)器時(shí)鐘模塊(TM2_CLK)采樣。另外，信
號(hào)是否反極性也可由 gpcc.4 選擇。比較輸出結(jié)果可以用來產(chǎn)生中斷信號(hào)或通過 gpcc.6 讀取出來。

 

應(yīng)廣單片機(jī)產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域

玩具類：
RF/IR遙控直升飛機(jī),遙控車,PS游戲機(jī),兒童智能玩具,動(dòng)物語音玩具,游戲方向盤,兒童學(xué)習(xí)機(jī)等

家電類：
電磁爐、電炒鍋、電飯煲、熱水壺，健康秤、冰箱控制系統(tǒng)、遙控器、電風(fēng)扇、洗衣機(jī)控制模塊、消毒柜、智能家居系統(tǒng)，遙控?zé)艟叩?/p>

電子消費(fèi)類：
電子萬年歷、溫度濕度計(jì)、跑步計(jì)速器、按摩器、數(shù)碼復(fù)讀錄音、筆電子禮品、電子密碼鎖，鎳氫，鋰電池充電器，超聲波測距，防盜報(bào)警器，燈飾控制，舵機(jī)

其它：
智能溫濕度記錄儀、智能溫控器、計(jì)時(shí)器、計(jì)數(shù)器、電機(jī)調(diào)速控制器、鼠標(biāo)、鍵盤、移動(dòng)存貯盤